[发明专利]基片抛光设备和基片抛光方法有效
| 申请号： | 200480017029.5 | 申请日： | 2004-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1809444A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 户川哲二;深谷孝一;多田光男;高桥太郎;须藤康成 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基片抛光设备，包括：具有抛光表面的抛光台；用于保持和压靠基片到所述抛光台的所述抛光表面的基片支架；和用于测量基片上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置；其中，所述基片支架具有多个压力可调节室，且在所述相应压力可调节室中的压力基于由所述薄膜厚度测量装置测量的薄膜厚度被调节。
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