[发明专利]用于形成自组装单层的化合物、层结构、含有层结构的半导体组件和生产层结构的方法无效
| 申请号： | 200480017305.8 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1809580A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | G·施密德;M·哈利克;H·克劳克;U·茨施尚;F·埃芬伯格;M·许茨;S·迈施;S·塞弗里茨;F·布克尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18;C07F7/12;B05D1/18;C03C17/38;G03F7/004;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;赵苏林 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成自组装单层，特别地半导体组件用单层的化合物，该化合物的特征为能够与其它相似化合物和/或其它不同的化合物进行π－π相互作用用于稳定单层(11)的分子基团(3)。本发明也涉及层结构、半导体组件和生产层结构的方法。采用此方式，可以有效生产半导体组件，特别地有机场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 组装 单层 化合物 结构 含有 半导体 组件 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.用于形成自组装单层的化合物，所述自组装单层特别地为半导体组件用单层，其特征为用于稳定单层(11)的能够与相同类型的其它化合物和/或另一种类型的化合物进行π-π相互作用的分子基团(3)。
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