[发明专利]复合半导体膜、太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200480017508.7 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1809932A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 桥本泰宏;佐藤琢也;根上卓之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/072 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及由复合物形成的复合半导体膜，所述复合物含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。太阳能电池被构造为包括：基体(11)；在基体(11)上形成的导电层(12)；在导电层(12)上形成的吸光层(13)，所述吸光层用含有Ib族元素、IIIa族元素和VIa族元素的复合半导体形成；形成于所述吸光层(13)之上的上述复合半导体膜(14)；和形成于所述复合半导体膜(14)之上的透明导电层(16)。所述构造提供了具有低电阻率的复合半导体膜。另外，通过利用具有低电阻率的所述复合半导体膜作为太阳能电池的缓冲层，提高了太阳能电池的能量转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 半导体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.作为半导体膜的复合半导体膜，其含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
