[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 200480017621.5 | 申请日： | 2004-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1809927A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | Z·克里沃卡皮奇 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于集成电路中的应变半导体器件，以及一种用以制造该应变半导体器件的方法。从绝缘体上半导体的衬底形成台面隔离结构。在该台面隔离结构上形成栅极结构。该栅极结构包含配置在栅极电介质材料上的栅极，并具有两组相对侧壁。在台面隔离结构邻接该栅极结构的第一组相对侧壁的部分上选择性生长半导体材料，然后再予以掺杂。硅化该掺杂的半导体材料，并通过电介质材料予以保护。硅化该栅极，其中，硅化物包覆第二组相对侧壁，并对半导体器件的沟道区施以应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；从所述半导体衬底形成台面结构，其中所述台面结构具有第一表面以及第一和第二侧壁；在所述台面结构上形成栅极结构，其中所述栅极结构具有栅极表面以及第一和第二侧面，并且其中所述栅极结构的第一和第二部分分别位于所述第一和第二侧壁上；以及对邻接所述栅极结构的第一和第二侧面的所述半导体衬底部分进行掺杂。
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