[发明专利]以低速可擦除且以高速可记录的相位改变介质以及用于这种介质的驱动设备无效

专利信息
申请号: 200480017700.6 申请日: 2004-06-22
公开(公告)号: CN1813290A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: H·马坦斯;R·范登奥特拉亚尔;R·乌鲁特斯 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G11B7/006 分类号: G11B7/006;G11B7/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;张志醒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 提出了一种相位改变介质,一种用于驱动相位改变介质的设备和方法,它们允许以高速写入并且以低速擦除。所提出的低速擦除选项必须被视为一种可以被应用到整个介质(或该介质的部分)的格式化选项从而使得该介质(或该介质的部分)恢复到原始状态。借助本发明,数据的直接覆盖是不可能的:在新数据可被高速写入介质之前,数据首先必须被低速擦除。根据本发明,该介质以一种线速度被旋转,该线速度取决于所选择的操作模式,应用于写入模式的线速度远高于所述的最大结晶速度,而应用于所述的擦除模式的线速度等于或低于所述的最大结晶速度。应用:DVD+R高速。
搜索关键词: 低速 擦除 高速 记录 相位 改变 介质 以及 用于 这种 驱动 设备
【主权项】:
1.一种用于驱动相位改变介质(1)的设备(10),该相位改变介质具有一个由一种能够局部地在非结晶状态和结晶状态之间改变的材料制成的层(6),所述材料的特征在于一个最大结晶速度,在该速度之上不能实现从所述的非结晶状态到所述的结晶状态的改变,所述的设备包括:-一个用户接口(26),通过该接口用户能够从多个操作模式中选择一个操作模式,该多个操作模式包括一写模式,该写模式用于通过局部地将所述材料从所述的结晶状态改变为所述的非结晶状态来在所述的介质上写入数据,以及一擦除模式,该擦除模式用于通过局部地将所述材料从所述的非结晶状态改变回所述的结晶状态而擦除在所述介质上写入的数据,-产生一个用于扫描所述介质的激光束的装置,-用于根据所选择的操作模式来控制所述激光束的功率的装置(40),以及-用于以一线速度旋转所述介质的装置(72),该线速度取决于所选择的操作模式,在所述的写模式中应用的线速度远高于所述的最大结晶速度,并且在所述的擦除模式中应用的线速度等于或低于所述的最大结晶速度。
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