[发明专利]纳米碳制造装置有效
| 申请号： | 200480017844.1 | 申请日： | 2004-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1812931A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 助丈史;吉武务;久保佳实;糟屋大介;饭岛澄男;汤田坂雅子 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在纳米碳制造装置(173)中，在制造室(107)内设置平面镜(169)和抛物面镜(171)。由激光束源(111)发射出并透过ZnSe窗(133)的出射光束被平面镜(169)和抛物面镜(171)反射。另外，在用抛物面镜(171)将光束聚焦之后，以所述光束照射石墨棒(101)的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.纳米碳制造装置，其包含：石墨靶；容纳所述石墨靶的室；在所述室的一部分上设置的窗单元；将光通过所述窗单元照射至所述石墨靶表面上的光源；和将产生自碳蒸气的纳米碳进行回收的回收单元，所述碳蒸气是由所述光照射而从所述石墨靶蒸发的；以及位于所述窗单元和所述石墨靶之间的遮蔽部件。
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