[发明专利]半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200480017891.6 | 申请日： | 2004-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1813347A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 格奥尔格·布吕德勒;贝特霍尔德·哈恩;福尔克尔·黑勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种多个半导体芯片的制造方法，特别是产生辐射的半导体芯片的制造方法，其中每个半导体芯片各具有至少一个外延制造的功能半导体层堆叠，该方法包括下列工艺步骤：提供生长基底晶圆(1)，其基本上包括与那些作为功能半导体层堆叠的半导体层序列的基础的半导体材料系统具有相同或者相似晶格参数的半导体材料系统中的半导体材料；在生长基底晶圆(1)中形成平行于生长基底晶圆(1)的主面(100)的分离区(4)；将生长基底晶圆(1)与辅助载体晶圆(2)结合；沿着分离区(4)，将从所述分离区(4)看背离辅助载体晶圆(2)的生长基底晶圆(1)的部分(11)分离；在生长基底晶圆上的残留在辅助载体晶圆(2)上的部分(12)上形成生长面，用于后续的半导体层序列的外延生长；在生长面上外延生长半导体层序列(5)；在半导体层序列上安置芯片基底晶圆；分离辅助载体晶圆(2)，以及将半导体层序列和芯片基底晶圆(7)的结合体分离为相互分开的半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多个半导体芯片(20)的制造方法，特别是多个产生辐射的半导体芯片的制造方法，每个半导体芯片各具有至少一个外延方法制造的功能半导体层堆叠(51)，所述方法包括下列工艺步骤：提供生长基底晶圆(1)，其基本上包括与那些作为功能半导体层堆叠(51)的半导体层序列(5)的基础的半导体材料系统具有相同或者相似晶格参数的半导体材料系统中的半导体材料；在生长基底晶圆(1)中形成平行于生长基底晶圆(1)的主面(100)的分离区(4)；将所述生长基底晶圆(1)与所述辅助载体晶圆(2)结合；沿着分离区(4)，将从所述分离区(4)看背离辅助载体晶圆(2)的生长基底晶圆(1)的部分(11)分离；在生长基底晶圆上的残留在辅助载体晶圆(2)上的部分(12)上形成生长面(121)，用于后续的半导体层序列(5)的外延生长；在生长面(121)上外延生长半导体层序列(5)；在半导体层序列(5)上安置芯片基底晶圆(7)；分离辅助载体晶圆(2)，以及将半导体层序列(5)和芯片基底晶圆(7)的结合体分离为相互分开的半导体芯片(20)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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