[发明专利]包括能带工程超晶格的半导体装置有效
| 申请号： | 200480018015.5 | 申请日： | 2004-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1813353A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J.·梅尔斯;吉恩·A.·C·S·F·伊普彤;迈尔柯·伊萨;斯科特·A.·柯瑞普斯;伊利佳·杜库夫斯基 | 申请（专利权）人： | RJ梅尔斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括超晶格，从而包括多个堆叠层组。每个超晶格组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。而且，能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内。因此，该超晶格可在平行方向上比其它情形中高的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 能带 工程 晶格 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：超晶格，其包括多个堆叠的层组；每个所述超晶格的层组包括多个堆叠的基半导体单层，该基半导体单层限定半导体部分和其上的能带修饰层；所述层组以第一和第二层组交替的方式布置，每个第一层组包括三个基半导体单层，且每个第二层组包括5个基半导体单层；所述能带修饰层包括至少一个非半导体单层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内。
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