[发明专利]用于通过压差控制半导体器件中所用气体的流速的装置有效
| 申请号： | 200480018147.8 | 申请日： | 2004-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1813337A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 安康镐 | 申请（专利权）人： | 株式会社现代校正认证技术院;安康镐 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;钟强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种装置，用于通过在流道中产生压差来由该压差控制半导体器件中所用气体的流速的装置。压差产生元件在半导体器件制作中所用的气体的流道中产生压差，安装在流道的旁路处的压力传感器检测该压差，中央处理单元CPU测量并控制气体的流速，由此本发明能够精确且快速地控制流速，并通过压差产生元件自身的过滤功能来增加气体的纯净度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 控制 半导体器件 所用 气体 流速 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于通过压差控制半导体器件制作中所用气体的流速的装置，包括：主体，其具有半导体器件制作中所用气体的流道；控制阀，其通过打开或关闭主体的流道来控制气流；压差产生元件，其安装在主体的流道中以产生压差；管，其被安装成穿过压差产生元件；压力传感器，其被容纳在管中以检测流道中由压差产生元件产生的压差；以及中央处理器，其根据从压力传感器输入的检测信号来计算气体的流速并对控制阀进行控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社现代校正认证技术院;安康镐，未经株式会社现代校正认证技术院;安康镐许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480018147.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于管理分组数据资源的方法和装置
- 下一篇：织物护理组合物及其使用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
