[发明专利]辐射半导体元器件有效
| 申请号： | 200480018204.2 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1813359A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | R·布滕代希;N·林德;B·迈尔;I·皮聪卡 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种辐射半导体元器件，其具有一种层状结构，该层状构造包含有一个n－掺杂的界限层(14)、一个p－掺杂的界限层(22)和一个布置在n－掺杂界限层(14)和p－掺杂的界限层(22)之间的活性的、发射光子的层(18)。按照本发明规定，n－掺杂的界限层(14)掺杂有第一种掺杂材料(或者两种相互不同的n－掺杂材料)用于产生一种高度活性的掺杂和清晰的掺杂轮廓；而且活性层(18)只掺杂一种与第一种掺杂材料不同的第二种掺杂材料用于改善活性层(18)的层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 半导体 元器件 | ||
【主权项】：
1.具有层状结构的辐射半导体元器件，所述层状结构包含有：-n-掺杂的界限层(14；34)，-p-掺杂的界限层(22；38)，和-位于n-掺杂的界限层(14；34)和p-掺杂的界限层(22；38)之间的活性的、发射光子的层(18；36)，其特征在于，-n-掺杂的界限层(14；34)用第一种n-掺杂材料掺杂用于产生一种高的活性掺杂和/或一种清晰的掺杂轮廓，而且-活性层(18；36)用一种与第一种掺杂材料不同的第二种n-掺杂材料来掺杂，用于改善活性层的层质量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480018204.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：橡胶组合物及其硫化成形品、和硫化与发泡成形品的生产方法
- 下一篇：托盘容器
