[发明专利]形成集成电路基片的方法有效
| 申请号： | 200480018326.1 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1813503A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | C·谷如姆斯;H·阿兹弥;A·林 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K3/24 | 分类号： | H05K3/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成适于附到一个或多个电子组件上的集成电路基片的方法。该方法包括将抗蚀剂施涂于基片的背侧，该基片的正侧和背侧上具有形成图形的导电层。该方法还包括从基片的正侧中去除形成图形的导电层的一部分以形成基片的正侧上焊盘和互连并将另一抗蚀剂施涂于基片的正侧上。该方法还包括在每个抗蚀剂中形成露出基片的正侧和背侧上的焊盘的图形以及将电解镍施涂于基片上的焊盘上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成 路基 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成基片的方法，该方法包括：将抗蚀剂施涂于基片的背侧，其中该基片的正侧和背侧上具有形成图形的导电层；从所述基片的正侧中去除形成图形的导电层的一部分以形成所述基片的正侧上的焊盘和互连；将另一抗蚀剂施涂于所述基片的正侧上；形成露出所述基片的正侧和背侧上的焊盘的每个抗蚀剂中的图形；以及将电解镍施涂于所述基片上的焊盘上。
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