[发明专利]硅麦克风的制造

摘要

采用以下步骤制作硅麦克风：提供第一晶片，该晶片包括重掺杂硅层、硅层和在两个硅层之间的氧化物中间层。该第一晶片在重掺杂硅层的一个表面上具有第一主表面，在硅层上具有第二主表面。第二硅晶片具有第一主表面和第二主表面。在第一和第二晶片的至少第一主表面上形成氧化物层。蚀刻出空腔，其穿过第一晶片的第一主表面上的氧化物层并进入重掺杂硅层中。第一晶片的第一主表面被结合到第二晶片的第一主表面。在第二晶片的第二主表面上形成金属层。在金属层中以及第二晶片的第二主表面中图案化并蚀刻出声学孔。在第一晶片的重掺杂硅上形成至少一个电极，并且在第二晶片上形成至少一个电极。在制造硅麦克风的过程中，至少从膜片的背面蚀刻第一晶片。

主权项

1.一种制造硅麦克风的方法，其包括下列步骤：提供第一晶片，该晶片包括重掺杂硅层、硅层和在两个硅层之间的氧化物中间层，并且在重掺杂硅层的一个表面上具有第一主表面，且在所述硅层上具有第二主表面，提供具有第一主表面和第二主表面的第二硅晶片，在所述第一晶片的至少第一主表面上形成氧化物层，在所述第二晶片的至少第一主表面上形成氧化物层，蚀刻空腔，其穿过所述第一晶片的第一主表面上的氧化物层并进入所述重掺杂硅层中，所述第一晶片的第一主表面被结合到所述第二晶片的第一主表面，在所述第二晶片的第二主表面上形成金属层，在所述金属层中以及所述第二晶片的第二主表面中图案化并蚀刻出声学孔，在所述第一晶片的重掺杂硅上形成至少一个电极，并且在所述第二晶片上形成至少一个电极，以及还包括在硅麦克风的制造过程中，至少从膜片的背面蚀刻第一晶片的氧化物层的步骤。