[发明专利]加工硅晶片的方法

摘要

本发明的硅晶片的加工方法包括：腐蚀工艺(13)，其中将酸腐蚀液和碱腐蚀液分别存储在多个腐蚀罐中，将经过了研磨工艺(11)并随后进行了清洗工艺(12)的具有变质表面层的硅晶片依次浸入到酸腐蚀液和碱腐蚀液中；正面镜面抛光工艺(18)，对所述腐蚀后的晶片的一面进行镜面抛光；清洗工艺(19)，对所述正面镜面抛光后的晶片进行清洗，其中腐蚀工艺这样进行，碱腐蚀在酸腐蚀之后进行；其中当主要由氢氟酸和硝酸组成的酸水溶液为100％重量比时，酸腐蚀液中含有重量比等于或者大于30％的磷酸。本发明的加工方法可以保持研磨后的平整度，同时可以降低表面粗糙度。进一步的，在正面是镜面抛光的晶片上，可以得到好的平整度，并使背面粗糙度变小。

主权项

1.一种硅晶片的加工方法，将经过了研磨工艺并随后进行了清洗工艺的具有变质表面层的硅晶片浸入到酸腐蚀液中，由此对所述晶片进行腐蚀，该酸腐蚀液为在主要由氢氟酸和硝酸组成的酸水溶液中含有磷酸。