[发明专利]用于制造垂直结构的复合半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200480018620.2 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1998065A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘明哲 | 申请（专利权）人： | 刘明哲 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L27/15;H01L29/26;H01L31/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造垂直结构的光电子器件的方法，包括：在晶体衬底上制造多个垂直结构的光电子器件，然后使用激光剥离处理去除衬底。该方法然后制造金属支承结构代替衬底。在一方面中，制造金属支承结构代替衬底包括以下步骤：使用电镀和无电镀中的至少一种来电镀金属支承结构。在一方面中，垂直结构是GaN－基垂直结构，晶体衬底包括蓝宝石，并且金属支承结构包括铜。本发明的优点包括制造适于大规模生产的高可靠性和高成品率的垂直结构的LED。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 垂直 结构 复合 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造垂直结构的光电子器件的方法，包括以下步骤：在晶体衬底上制造多个垂直结构的光电子器件；使用激光剥离处理去除所述衬底；以及制造金属支承结构代替所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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