[发明专利]半导体器件、制造量子阱结构的方法和包括这种量子阱结构的半导体器件有效
| 申请号： | 200480018904.1 | 申请日： | 2004-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1816914A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | Y·波诺马雷 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了用于在具有量子阱结构(4)的多层结构(3)的衬底(2)上获得的半导体器件(1)和方法。量子阱结构(4)包括由绝缘层(6，6’)夹在中间的半导体层(5)，其中绝缘层(6，6’)的材料优选具有高介电常数。在FET中，量子阱(4，9)用作沟道，允许较高的驱动电流和较低的截止电流。降低了短沟道效应。甚至对于亚35nm栅极长度，多沟道FET也适合于操作。在该方法中，优选通过MBE，通过交替地在相互的顶部上外延生长高介电常数材料和半导体材料来形成量子阱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 量子 结构 方法 包括 这种 | ||
【主权项】：
1.一种包括多层结构(3)的衬底(2)的半导体器件(1)，该多层结构包括量子阱结构(4)，该量子阱结构包括通过电绝缘材料的另外层(6，6’)夹在中间的半导体层(5)。
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