[发明专利]前体溶液及其制备和使用方法无效
| 申请号： | 200480018942.7 | 申请日： | 2004-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1816903A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 约尔格·迈尔;梅雷克·K·克莱;赖纳·基维特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L41/16;C04B35/491;C04B35/624;C23C18/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过使用包括大环络合剂的前体溶液制备结晶的PbMg0.33Nb0.67O3单相层，其具有1500和更高的相对介电常数。将这种试剂添加到有机溶液中的铅组分中。所得到的层是器件的一部分，该器件还可包括半导体元件和电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 溶液 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备用于结晶层的前体溶液的方法，所述结晶层包括铅、铌和第三金属的氧化物，该方法包括以下步骤：-提供在选自烷氧基醇组的溶剂中与大环化合物螯合的铅盐的第一溶液，所述大环化合物具有与铅离子的大小相对应的空腔；-提供第二溶液，其包括采用醇化物形式的铌；-混合所述第一溶液和所述第二溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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