[发明专利]在制造有机电子器件的过程中除去有机层的方法和用该方法制造的有机电子器件

摘要

一种用来制造有机电子器件的方法，该方法包括以下步骤：(a)在基片上形成第一导电元件和导电引线，所述第一导电元件和导电引线互相隔开；(b)在基片、第一导电元件和导电引线上面形成有机层；(c)在有机层上面形成具有图案的导电层，所述具有图案的导电层包括第二导电元件，所述具有图案的导电层造成了有机层的暴露部分和未暴露部分；(d)用至少一种含氧气体至少对有机层的暴露部分进行干蚀刻，使一部分导电引线暴露出来，所述干蚀刻在大约0.01－7.5毫托的压力下进行。

主权项

1.一种用来制造有机电子器件的方法，该方法包括以下步骤：在基片上形成第一导电元件和导电引线，所述第一导电元件和导电引线互相之间隔开；在基片、第一导电元件和导电引线上面形成有机层；在有机层上面形成具有图案的导电层，其中：所述具有图案的导电层包括第二导电元件；且所述具有图案的导电层形成了有机层的暴露部分和有机层的未暴露部分；以及用至少一种含氧气体对至少有机层的暴露部分进行干蚀刻，使导电引线的一部分暴露出来，其中，所述干蚀刻在大约0.01-7.5毫托的压力范围下进行。