[发明专利]从基底上去除光致抗蚀剂的方法无效
| 申请号： | 200480019282.4 | 申请日： | 2004-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1816773A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | E·A·埃德尔伯格;R·P·切比;G·S·洛 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对覆盖无机层的有机光致抗蚀剂之上的富碳层进行刻蚀的方法，该方法可以利用包含CxHyFz和一种或多种可选成分的工艺气体产生等离子体，该等离子体可有效刻蚀富碳层并且对无机层具有低的去除，其中y≥x和z≥0。可以在同一工艺处理室，或者可选在用于去除主体光致抗蚀剂的不同处理室中除去该富碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 去除 光致抗蚀剂 方法 | ||
【主权项】：
1.对基底上的有机光致抗蚀剂进行刻蚀的方法，该方法包括：将基底置于等离子反应器的等离子处理室中，该基底包含无机层和覆盖该无机层的有机光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含覆盖主体光致抗蚀剂的富碳层；向等离子处理室提供工艺气体，该工艺气体包含CxHyFz，其中y≥x并且z≥0，和下列成分中的至少一种：(i)含氧气体，和(ii)不同于CxHyFz的含氢气体；由工艺气体产生等离子体；和相对于无机层选择性刻蚀该富碳层。
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