[发明专利]使用氧化、减薄和外延再生长的组合的SiGe晶格工程学

摘要

本发明提供一种制造绝缘体上SiGe衬底的方法，其中采用晶格工程学除去SiGe厚度、GE含量和应变松弛之间的相互依赖性。该方法包括：提供绝缘体上SiGe衬底材料，其包括具有选择面内晶格参数、选择厚度参数和选择Ge含量参数的SiGe合金层，其中选择面内晶格参数具有恒定值，一个或两个其它参数，即厚度或Ge含量具有可调值；和调节一个或两个其他参数为最终选择值，同时保持面内晶格参数。所述调节是利用减薄工艺或热稀释工艺来实现的，这取决于是哪些参数是固定的和可调的。

主权项

1、一种制造具有选择参数的绝缘体上SiGe衬底的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始绝缘体上SiGe衬底材料，其包括具有选择的面内晶格参数、选择厚度参数和选择的Ge含量参数的SiGe合金层，其中选择面内晶格参数具有恒定值，其它参数中的一个或两个具有可调值；和调节其他参数中的一个或两个为最终选择值，同时保持所述选择面内晶格参数。