[发明专利]形成含掺杂磷的二氧化硅的层的方法和在制造集成电路中形成沟槽隔离的方法无效
| 申请号： | 200480019420.9 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1860251A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | B·A·瓦尔特斯卓 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/04;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括形成含掺杂磷的二氧化硅的层的方法和在制造集成电路中形成沟槽隔离的方法。在一个实施中，一种形成含掺杂磷的二氧化硅的层的方法包括：在沉积室中定位衬底。在对于在衬底上沉积含掺杂磷的二氧化硅的层有效的条件下，在多个沉积循环中，将第一和第二汽相反应物以交替和瞬时分离脉冲的方式引入至该室中的衬底上。第一和第二汽相反应物中的一个是PO(OR) 3，其中R是烃基，并且第一和第二汽相反应物中的另一个是Si(OR) 3OH，其中R是烃基。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掺杂 二氧化硅 方法 制造 集成电路 沟槽 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种形成含掺杂磷的二氧化硅的层的方法，该方法包括：在沉积室中定位衬底；并且在对于在衬底上沉积含掺杂磷的二氧化硅的层有效的条件下，在多个沉积循环中，将第一和第二汽相反应物以交替和瞬时分离脉冲的方式引入至该室中的衬底上，第一和第二汽相反应物中的一个是PO(OR)3，其中R是烃基，并且第一和第二汽相反应物中的另一个是Si(OR)3OH，其中R是烃基。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
