[发明专利]电容器结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200480019569.7 | 申请日： | 2004-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN1820352A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | C·巴斯切里;F·D·吉利;G·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/334 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括在阻挡层(48)之上淀积金属氧化物电介质材料(50)的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同的金属。该电介质材料/阻挡层结构可以结合到电容器中。例如，该电容器可以用在DRAM单元中，该DRAM单元可以用在电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成包含电介质材料的结构的方法，该方法包括：在衬底上形成包括MCx、MNy和MBq中一种或多种的层；其中M是金属，x、y和q是大于0的数；以及在形成该层之后，在该层上直接淀积包括MOz的电介质材料，其中z是大于0的数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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