[发明专利]形成于通孔中的聚合物存储器件有效
| 申请号： | 200480019684.4 | 申请日： | 2004-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1820325A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | N·H·特里普沙斯;M·布伊诺斯基;S·K·潘格尔勒;U·奥科罗安扬武;A·T·惠;C·F·里昂;R·苏布拉马尼安;S·D·洛帕京;M·V·恩戈;A·M·哈图里;M·S·张;P·K·章;J·V·奥格尔斯比 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个方面涉及一种在通孔中制造聚合物存储器件的方法。该方法包含下列步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有至少一个含金属层；在该含金属层中形成至少一个铜接触点；在该铜接触点上形成至少一个电介质层；在该电介质层中形成至少一个通孔，以便露出该铜接触点的至少一部分；在该通孔的下方部分中形成聚合物材料；以及在该通孔的上方部分中形成上电极材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 中的 聚合物 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种在通孔中制造聚合物存储器件的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有至少一个含金属层；在该含金属层上形成至少一个电介质层；在该电介质层中形成至少一个通孔，以露出该含金属层的至少一部分；在该通孔的下方部分形成聚合物材料；以及在该通孔的上方部分形成上电极材料层。
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