[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造装置和计算机记录介质

摘要

本发明的目的在于提供不增大膜厚，而能抑制电容器电容下降的半导体制造装置。在具有电容器的半导体装置中，电容器具有下部电极、上部电极、以及夹在下部电极与上部电极之间的绝缘膜。下部电极的绝缘层侧的表面被氮化。在下部电极是多晶硅的情况下，通过表面氮化，提高后继工序中热处理时的耐氧化性。特别是在DRAM中，由于电容器的电容增大，所以其效果变大。另外还减少了电容器内部的泄漏电流。

主权项

1、一种半导体装置，具有电容器，其特征在于：所述电容器具有下部电极、上部电极、以及夹在所述下部电极和所述上部电极之间的绝缘膜，所述下部电极的绝缘层侧的表面被氮化。