[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200480019954.1 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1823419A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 西胁克彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过降低关断后进入接触开口的拐角中的电流集中，并抑制局部热产生而不增大接通电压，提出了一种即使在大电流下也能够稳定工作的半导体器件。在通过P场区111和栅极电极106分隔，具有N+发射极区104和P+发射极区100，并通过对栅极电极106施加的电压控制发射极与集电极之间的导通的绝缘栅极晶体管中，在四个拐角由曲线形成接触发射极(N+发射极区104和P+发射极区100)和发射极电极的接触开口108的形状。因此，消除了直角顶点，防止了关断后从所述场区进入所述发射极电极的空穴电流在一点的集中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有源器件，设置于面对其主平面的半导体衬底中；以及接触电极，设置于与所述有源器件导通的所述半导体衬底的外部，其中利用曲线或利用钝角形成所述有源器件和所述接触电极的导通部分的边缘拐角。
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