[发明专利]PECVD富含硅的氧化物层以减少EEPROM中的UV充电有效
| 申请号： | 200480019959.4 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1823414A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | M·V·努;M·T·拉姆斯贝;T·卡迈勒;P·Y·高 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在金属化之前，通过PECVD在层间电介质(300)上沉积UV透射减少的富含硅的氧化硅层(500)，因而减小了Vt。实施例包括沉积折射率(R.I.)为1.7至2.0的UV不透明的富含硅的氧化硅层(500)。该富含硅的氧化硅层(SiRO)减小了在制造EEPROM闪存中的UV单元充电问题。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 富含 氧化物 减少 eeprom 中的 uv 充电 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成晶体管，所述晶体管具有在衬底(30)上的栅极结构，且栅极介电层(33)位于其间；在所述晶体管上形成层间电介质(300)；以及在所述层间电介质(300)的上表面上形成折射率R.I.大于1.6的富含硅的氧化硅层(500)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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