[发明专利]纳米级MOSFET晶体管阵列及其制造方法

摘要

通过在半导体衬底上形成氧化层(S10，S20)，涂覆抗蚀剂(S30)，使用压印平版印刷术图案化抗蚀剂以形成沿第一方向对准的图案(S40)，在该图案上涂覆第一离子掩膜材料(S50)，和选择性剥离第一离子掩膜材料以留下形成栅极的第一离子掩膜(S60)，通过注入适合的掺杂剂形成掺杂区(S70)，涂覆另一抗蚀剂层(S90)和使用压印平版印刷术图案化第二抗蚀剂层以形成沿着第二方向对准的第二图案(S100)，在第二图案上涂覆第二离子掩膜材料，和选择性地除去第二离子掩膜材料以留下由第二图案限定的第二离子掩膜(S120)，和通过根据第二离子掩膜选择地注入适合的第二掺杂剂在衬底上形成第二掺杂区(S130)来制造纳米级晶体管(20)。该方法也可用于制造纳米级晶体管(20)的阵列(10或15)。

主权项

1.一种制造纳米级晶体管的方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)在半导体衬底上形成薄氧化层；c)涂覆第一抗蚀剂层；d)使用压印平版印刷术来图案化第一抗蚀剂层以形成沿第一方向对准的第一图案；e)在第一图案上涂覆第一离子掩膜材料，和选择性剥离第一离子掩膜材料以留下由第一图案限定的第一离子掩膜，第一离子掩膜可选地适合于形成栅极；f)通过根据第一离子掩膜选择地注入适合的第一掺杂剂，在半导体衬底上形成第一掺杂区；g)涂覆第二抗蚀剂层和使用压印平版印刷术来图案化该第二抗蚀剂层以形成沿着第二方向对准的第二图案；h)在第二图案上涂覆第二离子掩膜材料，和选择性地剥离第二离子掩膜材料以留下由第二图案限定的第二离子掩膜；和i)通过根据第二离子掩膜选择地注入适合的第二掺杂剂，在半导体衬底上形成第二掺杂区。