[发明专利]电解处理装置和电解处理方法无效
| 申请号： | 200480020146.7 | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1823403A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 野路郁太郎;安田穗积;饭泉健;广川一人;小畠严贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L21/304;C25F3/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。 | ||
| 搜索关键词： | 电解 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电解处理装置，包括：处理电极，用于处理工件；供电电极，用于给工件供电；电源，用于在该处理电极和该供电电极之间施加电压；压力密闭容器，在其中容纳该处理电极和该供电电极；以及高压液体供应系统，用于将高压液体供应到该压力密闭容器内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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