[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200480020157.5 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1823423A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 高石昌 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置(1、31)包含：第1导电型半导体基板(2)，设置在该半导体基板上的，将上述第1导电型的漂移层(3)和与上述第1导电型不同的第2导电型RESURF层(9)，平行横向地依次交替配置在上述半导体基板上，形成超级结结构的半导体层(13)，上述RESURF层是沿贯通上述半导体层的沟槽(4)内侧壁形成的，上述漂移层具有介于上述RESURF层和上述半导体基板之间的分离区域(3v)，使上述RESURF层和上述半导体基板没有接触的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包含：第1导电型半导体基板，设置在该半导体基板上的、将上述第1导电型漂移层和与上述第1导电型不同的第2导电型RESURF层，平行横向地依次交替配置在上述半导体基板上，形成超级结结构的半导体层，上述RESURF层沿着贯通上述半导体层的沟槽内侧壁形成，上述漂移层具有介入在上述RESURF层和上述半导体基板之间的分离区域，以使上述RESURF层与上述半导体基板没有接触部分。
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