[发明专利]Ag系溅射靶及其制造方法

摘要

一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(D_max－D_ave)/D_ave×100(％)，B1＝(D_ave－D_min)/D_ave×100(％)，D_max：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，D_min：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，D_ave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。

主权项

1.一种Ag系溅射靶，其特征在于，结晶粒径的3维偏差在18％以下；所述结晶粒径的3维偏差是按照如下方法测定，即，在相对于溅射开始面平行的面上，切断所述溅射靶，使多个溅射面露出，在所述露出的每个溅射面上选择多个位置，通过以下的从i)到iv)，对全部的所述露出的溅射面的全部的所述选择位置的结晶粒径D进行测定，i)拍摄所述选择位置的光学显微镜照片，ii)在所得的照片上划出4根以上的多根直线形成格子状，iii)调查这些直线上的晶界的数量n，根据下式，对每根直线算出结晶粒径d(单位：μm)，d＝L/(n·m)L：所述直线的长度n：所述直线上的晶界的数量m：所述光学显微镜照片的倍率iv)算出对于所述多根的直线所求得的所述结晶粒径d的平均值、即该选择位置上的结晶粒径D，基于全部所述露出的溅射面的全部所述选择位置上的所述结晶粒径D的测定结果，根据下式求出值A1以及值B1，A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)Dmax：全部选择位置中的结晶粒径D的最大值Dmin：全部选择位置中的结晶粒径D的最小值Dave：全部选择位置中的结晶粒径D的平均值并且，选择这些值A1以及值B1中大的值作为所述结晶粒径的3维偏差。