[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200480020476.6 | 申请日： | 2004-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1823392A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 小川澄男;越川康二 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有冗余电路的半导体存储器件中，该冗余电路用于处理缺陷存储单元的修复，被不均匀分布的存储单元缺陷能够被有效地修复。该半导体存储器件具有多个存储块，该存储块包括多个段。用于替代段的缺陷数据的冗余存储块被物理地提供给每个存储块。冗余存储块的块地址被逻辑地共同分配给多个存储块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有冗余电路的半导体存储器件，包括：多个存储块；和提供给所述的多个存储块的每个存储块的多个冗余存储块，其中用于选择所述的多个存储块的每个存储块的地址位不同于用于选择所述的多个冗余存储块的每个的地址位。
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