[发明专利]含磷硅氮烷组合物、含磷硅质膜、含磷硅质填料、用于生产含磷硅质膜的方法和半导体装置有效
| 申请号： | 200480020537.9 | 申请日： | 2004-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1823136A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 青木伦子;青木宏幸 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料（日本）株式会社 |
| 主分类号： | C08L83/16 | 分类号： | C08L83/16;C01B33/12;H01L21/312;C09D183/16;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明一个目的是提供一种含磷硅质材料，其相对介电常数不大于3.5。本发明所述含磷硅氮烷组合物其特征在于含有存在于有机溶剂中的聚烷基硅氮烷和至少一种磷化合物。一种含磷硅质膜可通过下述方法形成：涂敷所述组合物到基片上以形成膜，该膜接着在50－300℃温度预烘焙，接着在300－700℃温度于惰性气氛中进行烘焙。本发明所述磷化合物优选是五价磷酸酯或磷腈化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 含磷硅氮烷 组合 含磷硅 质膜 含磷硅质 填料 用于 生产 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种含磷硅氮烷组合物，含有存在于有机溶剂中的聚烷基硅氮烷和至少一种磷化合物。
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