[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200480020581.X | 申请日： | 2004-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1823427A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 竹内孝之;七井识成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管，是具有半导体层(4)、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域(5)、漏极区域(6)和栅极区域(2)的薄膜晶体管(100)，所述半导体层由复合材料构成，所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管具有半导体层、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域、漏极区域和栅极区域，所述半导体层由复合材料构成，所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。
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