[发明专利]低介电常数膜及其制造方法、以及使用它的电子器件无效
| 申请号： | 200480020588.1 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1823406A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 樱井俊男;高萩隆行;坂上弘之;新宮原正三;富本博之 | 申请（专利权）人： | 日商乐华股份有限公司;独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 已知多孔金刚石微粒膜是高耐热性低介电常数膜，而且机械强度和热传导性高，被期待作为半导体集成电路元件的多层线路用绝缘膜，但因为电流－电压特性不足，没有被实用化。本发明中，通过将多孔金刚石微粒膜用碳酸盐·硫酸盐不溶或溶解度低的钡、钙等金属盐水溶液和六甲基二硅氮烷或三甲基一氯硅烷等疏水化试剂以及含有二氯四甲基二硅氧烷或二甲氧基四甲基二硅氧烷中任意一种的增强剂进行处理，可以使绝缘击穿电压和漏电流在实际应用标准的规定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 及其 制造 方法 以及 使用 电子器件 | ||
【主权项】：
1.低介电常数膜，它是由至少具有金刚石微粒和空隙的膜构成的低介电常数膜，其特征在于，所述低介电常数膜含有选自常温下的碳酸盐或硫酸盐的溶解度在1g/100g以下的金属的至少一种金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
