[发明专利]等离子加工设备有效
申请号: | 200480020648.X | 申请日: | 2004-07-22 |
公开(公告)号: | CN1823411A | 公开(公告)日: | 2006-08-23 |
发明(设计)人: | 有田洁;岩井哲博;中川显 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 对晶片的与电路形成表面相对的表面进行蚀刻加工的等离子加工设备,包括环形的陶瓷绝缘薄膜(26,27),该陶瓷绝缘薄膜与大晶片(6A)或小晶片(6B)的外边缘相谐调地位于电极元件(3)的安装面(3b)上。当采用大晶片时,附接环元件(29)。当采用小晶片时,安装阻挡元件(9)以遮蔽沉积在安装面(3b)上的绝缘薄膜之间的间隙,并覆盖吸入孔(3c)。此外,附接盖元件(25)以从顶部覆盖阻挡元件。以该布置,可以用同一电极元件对不同尺寸的晶片进行等离子加工。 | ||
搜索关键词: | 等离子 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种等离子加工设备,其对晶片的背面进行等离子加工,所述晶片的正面粘附有绝缘片,所述等离子加工设备对至少两种晶片,即大晶片和小晶片进行等离子加工,所述等离子加工设备包括:整体形成的电极元件,其位于确定出一封闭空间的加工室中,并具有比大晶片大的安装面,使得可以安装晶片,同时所述绝缘片与所述安装面接触;减压单元,用于从所述封闭空间中排出气体以减小压力;气体供给单元,用于将等离子产生气体供给到压力已减小的所述封闭空间;对向电极,定位成与所述电极元件相对;等离子体产生装置,用于在所述电极元件和所述对向电极之间施加高频电压,以使所述等离子产生气体处于等离子体状态;DC电压施加单元,用于向所述电极元件施加DC电压,以静电吸引位于所述安装面上的所述晶片;冷却单元,用于冷却所述电极元件;和盖元件,具有环形形状并可拆卸地覆盖所述安装面的外侧部,所述盖元件的内径基本等于置于所述安装面上的晶片的外径,其中,所述电极元件的安装面分成:第一区域,位于所述安装面的中心,其中露出金属,所述金属是用于所述电极元件的材料,第一绝缘区域,其表面覆盖有绝缘薄膜,所述第一绝缘区域像环一样围绕所述第一区域的外边缘,第二区域,其中露出所述金属,所述第二区域像环一样围绕所述第一绝缘区域的外边缘延伸,和第二绝缘区域,其表面覆盖有绝缘薄膜,所述第二绝缘区域像环一样围绕所述第二区域的外边缘,其中,所述第一区域和所述第一绝缘区域之间的边界选定在位于所述安装面中心的小晶片的外边缘之内,所述第一绝缘区域和所述第二区域之间的边界选定在所述小晶片的外边缘之外,并且其中所述第二区域和所述第二绝缘区域之间的边界选定在位于所述安装面中心的大晶片的外边缘之内,所述第二绝缘区域从所述大晶片向外延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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