[发明专利]生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物无效
申请号: | 200480020747.8 | 申请日: | 2004-05-19 |
公开(公告)号: | CN1826289A | 公开(公告)日: | 2006-08-30 |
发明(设计)人: | 戴维·M·里德;斯里达·维尼加拉;里奇·W·基切尔;斯蒂芬·J·克劳斯;希瑟·L·恩曼;多兰·L·舒尔茨;杰弗里·A·柯克纳 | 申请(专利权)人: | 卡伯特公司 |
主分类号: | C01G33/00 | 分类号: | C01G33/00;C01G35/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉;贾静环 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了一种至少部分还原铌氧化物的方法,其中该方法包括将铌氧化物和粉混合形成粉末混合物,然后将其热处理由此形成热处理的颗粒,将该该颗粒在允许氧原子从铌氧化物转移至铌粉的气氛中在足以形成氧还原的铌氧化物的时间和温度下反应,由此形成氧还原的铌氧化物。还描述了具有高孔隙率的氧还原的铌氧化物以及包含由氧还原的铌氧化物制备的阳极的电容器。 | ||
搜索关键词: | 生产 金属 氧化物 方法 还原 | ||
【主权项】:
1.一种氧还原的铌氧化物颗粒,其中氧还原的铌氧化物颗粒在挤压和烧结后具有多模态孔尺寸分布约0.1至约20μm,并由具有BET表面积约0.5至约8m2/g的氧还原的铌氧化物形成。
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