[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200480020767.5 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1826688A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治;原山洋一 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体晶片(30)的形成有多个器件的一侧的表面上，形成绝缘膜(13、14)，然后形成覆盖露出各器件的电极极板(12)的开口部的导体层(15、16)，再形成具有露出该导体层的端子形成部分的开口部的抗蚀层(R2)，以该抗蚀层(R2)为掩模，在导体层(16)的端子形成部分形成金属接线柱(17)，然后对半导体晶片(30)的背面进行研磨、直到变薄至预定厚度。然后，除去抗蚀层(R2)，再除去导体层的多余的一部分(15)，使所述金属接线柱(17)的顶部露出、并利用密封树脂进行密封，在金属接线柱(17)的顶部接合金属凸块，以各器件为单位对半导体晶片进行分割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体晶片的形成有多个器件的一侧的表面上，形成具有露出各器件的电极极板的开口部的绝缘膜的工序；在该绝缘膜上形成按照所需形状进行了构图、覆盖露出所述电极极板的开口部的导体层的工序；在该导体层上形成具有露出该导体层的端子形成部分的开口部的抗蚀层的工序；以该抗蚀层为掩模，在所述导体层的端子形成部分形成金属接线柱的工序；对所述半导体晶片的形成有所述金属接线柱的一侧相反侧的表面进行研磨，直到变薄至预定厚度的工序；在除去所述抗蚀层之后，使所述金属接线柱的顶部露出、利用密封树脂密封晶片表面的工序；在所述的金属接线柱的顶部接合金属凸块的工序；以所述各器件为单位对接合有该金属凸块的半导体晶片进行分割的工序。
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