[发明专利]液晶装置无效
申请号: | 200480020865.9 | 申请日: | 2004-06-02 |
公开(公告)号: | CN1826555A | 公开(公告)日: | 2006-08-30 |
发明(设计)人: | 威廉·A.·克洛斯兰德;安东尼·B.·达维 | 申请(专利权)人: | 剑桥大学技术服务有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李春晖 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种液晶装置,包括液晶材料层,和提供在所述液晶材料层的一侧上的导体阵列,用于在其间产生电场以改变液晶材料层的像素部分的分子取向,其中液晶材料层的每个像素部分与相应的像素区域上分布的相应的导体组相关联,用于在比像素尺寸还小的距离之间施加电压,每个组内的所述导体及其间的间隔相对于液晶材料层的厚度来说足够得小,以便每个组可以用于产生电场,所述电场穿过液晶材料层厚度的至少一部分来感应不同的分子取向模式,所述模式在整个像素部分区域上基本上是均匀的。 | ||
搜索关键词: | 液晶 装置 | ||
【主权项】:
1、一种液晶装置,包括液晶材料层和提供所述液晶材料层的一侧上的导体阵列,该导体阵列用于在其间产生电场,以改变所述液晶材料层的像素部分的分子取向,其中所述液晶材料层的每个像素部分与在相应的像素区域上分布的相应的导体组相关联,所述导体组用于在比像素尺寸小的距离之间施加电压,其中所述每组内的导体和其间的间隔相对于液晶材料层的厚度来说足够得小,以便每个组都可用于产生电场,所述电场穿过液晶材料层厚度的至少一部分来感应不同的分子取向模式,所述模式在各个像素部分的整个区域上基本上是均匀的。
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