[发明专利]具有垂直凸出物的浮栅结构有效
| 申请号： | 200480020878.6 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101019215A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·卢策;图安·法姆;亨利·钱;乔治·玛塔米斯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示浮栅结构(230)，其具有一远离衬底表面延伸的凸出物。此凸出物(232，234)可为浮栅提供用于耦合浮栅与控制栅的增加的表面积。在一个实施例中，字线在浮栅的每一侧上向下延伸以屏蔽同一串中的各相邻浮栅。在另一实施例中，揭示一种用于制作具有凸出物的浮栅的方法。该凸出物可形成为自对准于浮栅的其余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 凸出 结构 | ||
【主权项】：
1、一种在一半导体衬底表面上制作一非易失性存储单元阵列的方法，其包括：在所述衬底表面上形成一第一浮栅部分阵列，在所述第一浮栅部分阵列与所述衬底表面之间具有一栅极介电层，在所述衬底的未被第一浮栅部分覆盖的区域上形成一掩膜层，以使所述掩膜层中的一开孔图案自对准于所述第一浮栅部分，在第一浮栅部分上在所述掩膜层中的所述开孔中形成侧壁元件，形成在至少一个方向上由所述侧壁元件界定并接触所述第一浮栅部分的第二浮栅部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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