[发明专利]硅类薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 200480021059.3 | 申请日： | 2004-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1826699A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 泽田彻;小井洋平;佐佐木敏明;吉见雅士;后藤雅博;山本宪治 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种硅类薄膜太阳能电池，其特征在于，在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位依次设置导电型硅类低折射率层、硅类界面层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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