[发明专利]外延生长层的制造方法

摘要

本发明涉及一种制造外延生长层(6)的方法、外延生长支承体(9，9’)及其制造方法。该方法的非凡之处在于其包括下列步骤：1)在支承衬底(1)中注入原子种类以便在其中划定一个脆弱区域，该区域将薄支承层(13)与所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)将薄成核层(23)转移到所述薄支承层(13)上；c)沿所述脆弱区域分离所述剩余部分(11)，但同时使薄支承层(13)与所述剩余部分(11)保持接触；d)在所述成核层(23)上通过外延生长形成所述外延生长层(6)；和e)从薄支承层(13)上移除剩余部分(11)。应用于光学、光电子学或电子学领域。

主权项

1.一种制造特别用于光学、光电子学或电子学领域的外延生长层(6，6’)的方法，其特征在于包括下列步骤：a)将原子种类注入被称作“支承衬底”的第一衬底(1)中，以便在其中划定一个脆弱区域(12)，该区域将被称作“薄支承层”的薄层(13)与所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)通过在两者之间形成粘合界面(4)，将薄成核层(23)转移到所述薄支承层(13)的自由表面(130)上，该薄成核层的性质适合所述外延生长层(6，6’)随后的外延生长；c)沿相应脆弱区域(12)分离支承衬底(1)的剩余部分(11)，但同时使薄支承层(13)与所述剩余部分(11)保持接触；d)在所述成核层(23)上通过外延生长来生长所述外延生长层(6，6’)；e)从薄支承层(13)上移除支承衬底(1)的剩余部分(11)。