[发明专利]制备MoO2 粉末的方法、由MoO2粉末制备的产品、MoO2薄膜的沉积以及使用这种材料的方法

摘要

本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO₂粉末。将通过压制/烧结、热压和/或HIP进行的粉末固结用来制备圆盘、厚块或板，该圆盘、厚块或板用作溅射靶。使用适宜的溅射方法或其它物理方式将该MoO₂圆盘、厚块或板形式溅射在基底上，从而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、导电率、功函数、均匀性以及表面糙度而言，该薄膜具有与氧化铟锡(ITO)和掺锌ITO可比或优于其的性能如电的、光的、表面粗糙度以及均匀性。可将该MoO₂和含该MoO₂的薄膜用在有机发光二极管(OLED)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发射显示器(FED)、薄膜太阳能电池、低电阻率欧姆接触以及其它电子和半导体器件中。

主权项

1.用于制备高纯MoO2粉末的方法，包括：(a)将钼成分放进炉中，其中钼成分选自二钼酸铵盐、三氧化钼及其混合物；以及(b)在还原气氛下，在低于700℃的温度下，在炉中加热该钼成分，从而形成高纯MoO2粉末。