[发明专利]用于制造硫族化合物存储元件的蚀刻方法无效
| 申请号： | 200480021249.5 | 申请日： | 2004-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1836342A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李耀升;迈克·德夫雷 | 申请（专利权）人： | 优利讯美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成具有如Ge2Sb2Te5这样的硫族化合物层的存储元件的改进的方法。在具有高密度等离子体源的真空室中放置具有介电蚀刻停止层、硫族化合物层、抗反射层和掩模层的基板。至少一种含氯气体如BCl3和Cl2的混合物被引入真空室，用于蚀刻所述硫族化合物层和抗反射层至介电蚀刻停止层。根据终点探测系统而中断所述蚀刻工艺。一旦蚀刻工艺结束，就从所述真空室移去所述基板并且从所述基板剥离所述掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 化合物 存储 元件 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成存储元件的改进的方法，所述方法包括以下步骤：在真空室中放置基板，所述基板具有介电蚀刻停止层、硫族化合物层、抗反射层和掩模层；将至少一种含氯气体引入所述真空室；在所述真空室中激发高密度等离子体；蚀刻所述硫族化合物层和所述抗反射层以在所述基板上暴露所述介电蚀刻停止层；从所述真空室移去所述基板；以及从所述基板剥离所述掩模层。
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