[发明专利]背面入射型光检测元件有效
| 申请号： | 200480021268.8 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1826700A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 柴山胜己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种背面入射型光检测元件，可使封装体充分小，且可抑制被检测光的散射。背面入射型光电二极管(1)具有：N型半导体基板(10)、P+型杂质半导体区域(11)、凹部(12)及覆盖层(13)。N型半导体基板(10)的表面(S1)侧的表层上形成有P+型杂质半导体区域(11)。在N型半导体基板(10)的背面(S2)中与P+型杂质半导体区域(11)相对的区域上，形成有做为被检测光的入射部的凹部(12)。此外，在背面(S2)上，设置有透过朝向凹部(12)入射的被检测光的覆盖层(13)。此处，覆盖层(13)设置在凹部(12)上的部分，相对设置在凹部(12)的外边缘部(14)上的部分下陷。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 入射 检测 元件 | ||
【主权项】：
1.一种背面入射型光检测元件，具有：具有第一导电型的半导体基板；设置在所述半导体基板的第一面侧的表层上，具有第二导电型的杂质半导体区域；在所述半导体基板的第二面中的与所述杂质半导体区域相对的区域形成的，入射被检测光的凹部；和设置在所述第二面上，由透过所述被检测光的树脂形成的覆盖层，其中，所述覆盖层设置在所述第二面的所述凹部的部分，相对设置在所述凹部的外边缘部上的部分下陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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