[发明专利]制造外延生长层的方法有效
| 申请号： | 200480021387.3 | 申请日： | 2004-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1826434A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | B·富尔;L·迪乔奇欧 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/762;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造外延生长层(6)的方法。该方法的显著之处在于其包括下列步骤：a)在支撑衬底(1)中注入原子种类以在其中划定弱区(12)，该弱区(12)将薄支撑层(13)从所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)通过直接在所述薄支撑层(13)上或在转移到其上的插入层(5、23、31、32)上进行的外延生长来生长所述外延层(6)；c)通过谨慎地供应外能而沿弱区(12)将所述剩余部分(11)从薄支撑层(13)分离。本发明适用于光学、光电子学或电子学领域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造特别用于光学、光电子学或电子学领域的外延生长层(6，6’)的方法，其特征在于包括下列步骤：i)在被称作“支撑衬底”的第一衬底(1，1’)中注入原子种类以便在其中划定弱区(12，12’)，所述弱区(12，12’)从所述衬底的剩余部分(11，11’)划分开被称作“薄支撑层”的薄层(13，13’)；ii)通过直接在所述薄支撑层(13，13’)上进行的外延来生长所述外延生长层(6，6’)；iii)通过谨慎地供应外能而沿所述支撑衬底的弱区(12，12’)将支撑衬底(1，1’)的剩余部分(11，11’)从薄支撑层(13，13’)分离；iv)除去所述薄支撑层(13，13’)以获得外延生长层(6，6’)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司，未经S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480021387.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于区分PDP环境订制的方法和系统
- 下一篇：统一消息通信状态改变的动态配置
