[发明专利]太阳能电池吸收层的制造方法

摘要

本发明是关于一种制造用作太阳能电池吸收层的CuInSe₂和CuIn_1－xGa_xSe₂薄膜的方法，所述薄膜的构成接近于化学当量比(chemical equivalence ratio)。本发明提供的制造太阳能电池用薄膜的方法包括：使用[Me₂In－(μSeMe)] ₂前体，通过金属有机化学气相沉积法在基材上形成InSe薄膜；使用(hfac)Cu(DMB)前体，通过金属有机化学气相沉积法在InSe薄膜上形成Cu₂Se薄膜；并且使用[Me₂In－(μSeMe)] ₂前体，通过金属有机化学气相沉积法在Cu₂Se薄膜上形成CuInSe₂化合物薄膜。该方法还包括使用[Me₂Ga－(μSeMe)] ₂前体，通过金属有机化学气相沉积法在CuInSe₂化合物薄膜上形成CuIn_1－xUB>2薄膜。

主权项

1、一种制造I-III-VI2薄膜的方法，该方法包括：第一步：使用含有III族和VI族元素的单一前体，通过金属有机化学气相沉积法在基材上形成III-VI化合物薄膜；第二步：使用含有I族金属的前体，通过金属有机化学气相沉积法在III-VI化合物薄膜上形成I2-VI化合物薄膜；以及第三步：使用含有III和VI族元素的单一前体，通过金属有机化学气相沉积法在I2-VI化合物薄膜上形成I-III-VI2化合物薄膜。