[发明专利]粗C4馏分的分馏方法无效
申请号: | 200480021439.7 | 申请日: | 2004-07-22 |
公开(公告)号: | CN1829672A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | B·海达 | 申请(专利权)人: | 巴斯福股份公司 |
主分类号: | C07C7/08 | 分类号: | C07C7/08;C07C11/167 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 刘金辉;隗永良 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种通过使用选择性溶剂萃取蒸馏来分馏粗C4馏分的方法,所述粗C4馏分包含丁烷、丁烯、1,3-丁二烯和少量的包括C4炔类的其它烃类,其中将粗C4馏分(1)引入第一萃取蒸馏塔(KI)的中间区域,将选择性溶剂(2)在粗C4馏分(1)之上引入,在粗C4馏分(1)引入位置之下由第一萃取蒸馏塔取出含有C4炔类以及主要是选择性溶剂且其中C4炔类在其中的浓度低于自发分解极限的气态侧流(3),并取出含有在选择性溶剂中溶解性比C4炔类差的组分的塔顶料流(5)。 | ||
搜索关键词: | sub 馏分 分馏 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过使用选择性溶剂萃取蒸馏来分馏粗C4馏分的方法,所述粗C4馏分包含丁烷、丁烯、1,3-丁二烯和少量的包括C4炔类、1,2-丁二烯和C5烃类的其它烃类,其中将粗C4馏分(1)供入第一萃取蒸馏塔(K I)的中间区域,将选择性溶剂(2)在引入粗C4馏分(1)的位置之上的位置供入塔中,在粗C4馏分(1)进料位置之下的位置由第一萃取蒸馏塔(KI)取出含有C4炔类以及1,3-丁二烯、1,2-丁二烯、C5烃类和选择性溶剂且其中C4炔类的浓度低于自发分解极限的气态侧流(3),并且由第一萃取蒸馏塔的顶部取出含有在选择性溶剂中溶解性比C4炔类差的粗C4馏分组分的塔顶料流(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯福股份公司,未经巴斯福股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480021439.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动伸缩式帐篷
- 下一篇:聚合物的造粒方法和设备
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法