[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

摘要

通过一种发光器件及其制造方法，可以实现利用表面安装技术进行批处理安装、高光发射效率以及低制造成本。发光器件1包括：由p型和n型氮化物半导体构成的半导体层(2，3)；将电流提供到各半导体层(2，3)的半导体表面电极(21，31)；固定半导体层(2，3)的绝缘层；以及安装表面电极(5)。半导体层(2)具有非沉积区域20，其中未沉积其它半导体层。绝缘层(4)具有VIA 10，其电性地连接安装表面电极5和半导体表面电极(21，31)。在制造工艺中，首先，在透明晶体衬底上沉积半导体层(2，3)和半导体表面电极(21，31)，并通过构建处理形成绝缘层(4)和安装表面电极(5)；然后形成VIA 10；最后，分离透明晶体衬底以得到发光器件(1)。光可以直接且有效地从半导体层(2，3)射出。通过安装表面电极(21，31)，可利用表面安装技术安装发光器件(1)。

主权项

1.一种通过沉积多个p型和n型氮化物半导体层而形成的发光器件，其包括：多个半导体表面电极，其将电流提供到所述多个半导体层中的每一个半导体层；绝缘层，其固定所述多个半导体层；以及多个安装表面电极，其位于该绝缘层的一个表面上，该表面与该绝缘层上形成有所述多个半导体表面电极的另一表面相对；其中，所述半导体层之一具有未沉积其它半导体层的非沉积区域；在该非沉积区域的表面上构建一个所述半导体表面电极；在该绝缘层中形成多个VIA，其电性连接所述多个半导体表面电极和所述多个安装表面电极；以及在所述多个沉积的半导体层的一侧上顺序地构建所述多个半导体表面电极、该绝缘层以及所述多个安装表面电极。