[发明专利]背面入射型光检测部件及其制造方法有效
申请号: | 200480022086.2 | 申请日: | 2004-07-23 |
公开(公告)号: | CN1830095A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 柴山胜己 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L27/14 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种背面入射型光检测部件及其制造方法,能够充分缩小安装,并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射型光电二极管(1)包括:N型半导体基板(10)、P+型不纯物半导体区域(11)、凹部(12)与窗板(13)。在N型半导体基板(10)上面(S1)侧的表层中,形成P+型不纯物半导体区域(11)。在面向N型半导体基板(10)背面(S2)的P+型不纯物半导体区域(11)的区域中,形成成为被检测光的入射部的凹部(12)。此外,在凹部(12)的外缘部(14)接合于窗板(13)。该窗板(13)接合于凹部(12)的外缘部(14)。该窗板(13)覆盖凹部12,并密封N型半导体基板(10)的背面(S2)。 | ||
搜索关键词: | 背面 入射 检测 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种背面入射型光检测部件,其特征在于,包括:第一导电型的半导体基板;第二导电型的不纯物半导体区域,设置在所述半导体基板的第一面侧的表层;凹部,形成于面向所述半导体基板的第二面的所述不纯物半导体区域的区域上,被检测光进行入射;和窗板,以覆盖所述凹部的方式与该凹部的外缘部相接合,使所述被检测光予以透过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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