[发明专利]用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 200480022107.0 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1830065A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | V·海勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件。在所述方法中，提供具有衬底和生长表面的芯片复合基底。未闭合的掩膜材料层在生长表面上这样生长，使得所述掩膜材料层包括多个统计分布的具有变化的形状和/或孔径面积的窗，其中这样选择掩膜材料，使得半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上基本上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长。接着，半导体层基本上同时沉积在生长表面的位于窗内的区域上。另一方法步骤是将具有所沉积的材料的芯片复合基底分隔成半导体芯片。此外，本发明还涉及按照所述方法制造的光电子半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件，其中所述方法至少包括以下方法步骤：-提供芯片复合基底，所述芯片复合基底具有衬底和生长表面；-未闭合的掩膜材料层在所述生长表面上这样生长，使得所述掩膜材料层包括多个统计分布的具有变化的形状和/或孔径面积的窗，其中这样选择掩膜材料，使得所述半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上基本上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长；-半导体层基本上同时在所述生长表面的位于所述窗内的区域上生长；-将具有所沉积的材料的所述芯片复合基底分隔成半导体芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480022107.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
