[发明专利]高耐热半导体装置无效
| 申请号： | 200480022160.0 | 申请日： | 2004-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1830080A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 菅原良孝 | 申请（专利权）人： | 关西电力株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L29/861;H01L31/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在150℃以上的高温中使用的SiC等宽禁带半导体装置中，为了改善半导体元件的绝缘性，得到高耐电压的宽禁带半导体装置，而采用合成高分子化合物来覆盖宽禁带半导体元件的外表面，这种合成高分子化合物通过附加反应生成的共价键使有机硅聚合物C彼此之间连接，形成三维立体结构，其中，所述有机硅聚合物C通过硅氧烷键连接了具有硅氧烷(Si－O－Si结合键)的交联结构的1种以上的有机硅聚合物A、以及具有硅氧烷的线状连接结构的1种以上的有机硅聚合物B而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 耐热 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有覆盖半导体元件、以及用于将半导体元件电气连接到外部设备的电气连接装置的至少一部分的合成高分子化合物，其特征在于：所述合成高分子化合物包含：由通过附加反应生成的共价键连接多个第3有机硅聚合物，从而形成为三维立体结构的化合物，其中，所述第3有机硅聚合物通过硅氧烷键连接了至少1种具有硅氧烷(Si-O-Si结合键)的交联结构的第1有机硅聚合物、以及至少1种具有硅氧烷的线状连接结构的第2有机硅聚合物而形成。
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